5G高频器件-GaN工艺射频功放代工厂家

jackwolf1981

最近在调研GaN工艺射频功放代工厂家，不知调研的是否正确，请大神轻拍。

在射频高频的GaN领域，现在能够提供器件的厂商主要有科锐、英飞凌、Macom、恩智浦、Qorvo和住友等厂商，基本上都为IDM（设计和生产）。纯代工厂商有OMMIC，WIN，GCS，Wav******等。总体上，大部分制造厂商提供2到3个标准工艺：

l  0.5微米，高偏置（40到50V），主要瞄准高功率、频率低于约8GHz的器件；

l  0.25微米，中偏置（28到30V），主要瞄准更高频率（大概达到18GHz）的器件

l  更小的栅长（大概0.15微米），主要瞄准毫米波器件（频率达到100GHz）

美国的Qorvo（由RFMD和TriQuint合并而来），2010年，美国Triquint企业宣布推出3英寸GaN功率器件代工线服务，并发布了覆盖2-18GHz的系列器件和电路。2016年，已推出全球首条6寸的GaN代工线，频率GaN工艺尺寸（栅极长度）从0.25至0.5微米向0.15微米转换，涵盖整个微波至mmW应用领域。产品主要面向光通信，以及宏基站和蜂窝基站的射频领域。

美国的MACOM，已推出采用SiC衬底的第四代氮化镓（GaN的GEN4）系列产品，在2000年，Nitronex(已被MACOM收购)就已经开始硅基衬底GaN的研发。只有通过硅基衬底，才可以使用CMOS工艺或者更大的八寸晶圆来做GaN产品，并将成本降下来，可以取代基站的LDMOS功率放大器。同时，它还具有基于砷化镓衬底pHEMT工艺制成的三级单片集成功率放大器，工作频段为80~100GHz，主要应用于图像、传感器和通信领域。

欧洲的英飞凌，2015年收购IR，2016年收购Wolfspeed，补全了Si和GaN功率半导体产品线，增强了SiC基GaN射频功率技术实力，用以实现其成为排名第一的射频功率器件供应商之目标。而如5G等新一代蜂窝基础设施将采用高达80GHz的频率，Si基GaN器件支撑更高的组件集成度，在高达10GHz的工作频率下具备明显优势。SiC基GaN器件可以在高达80GHz的频率下实现最大效率。

欧洲的OMMIC，2016年6月20日，在巴黎成功举行GaAs GaN 6英寸生产线揭牌仪式。该生产线是欧洲第一条GaAs GaN 6英寸生产线、世界第二条GaAs GaN 6英寸线，于2017年6月前投入批量生产，将加强欧洲在GaAs GaN微波器件领域的生产能力，迎接5G时代的到来。

台湾的稳懋半导体（WIN），联颖（Wav******），GCS等是GaAs代工企业，同时也提供小部分的GaN工艺器件代工服务，具有线宽为0.25微米，18GHz的器件制造；0.15微米，60Ghz的器件制造能力。目前民用方面尚没有大规模量产经验。