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发表于 2024-8-13 15:18:51 |显示全部楼层
【ITBEAR】8月13日消息,SK海力士的研究员Seo Jae-Wook在韩国水原当地时间12日举行的学术会议上透露,为了缓解成本压力,企业正考虑转向4F2或3D结构的DRAM内存。

Seo Jae-Wook指出,从1c DRAM开始,EUV光刻的成本急剧上升,现在已经到了需要重新评估这种制造方式经济性的时刻。他进一步提到,SK海力士也在探讨是否应从下一代产品开始,转向采用垂直栅极(VG)或3D DRAM技术。

据ITBEAR了解,Seo Jae-Wook所提到的VG DRAM,即4F2 DRAM,SAMSUNG电子称其为VCT(垂直通道晶体管)DRAM,这是一种新型的垂直构建单元结构的内存。这种结构的DRAM通过从下到上依次放置源极、栅极、漏极和电容,相较于现有的6F2 DRAM,能够减少约30%的芯片面积。Seo Jae-Wook预计,VG DRAM将在0a nm节点后开始量产。

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SAMSUNG电子、SK海力士、美光这三大原厂即将在2024~2025年推出采用EUV光刻的1c nm DRAM。然而,从下一代1d nm节点开始,先进内存将使用EUV多重曝光技术,这将导致生产流程中EUV光刻环节的成本大幅提升。Seo Jae-Wook表示,通过采用VG或3D DRAM结构,内存的EUV光刻成本可以降低到传统6F2 DRAM的一半以下。不过,他也提到,VG DRAM虽然能在接下来的1~2代工艺中维持较低的光刻成本,但之后EUV成本将再次急剧上升;而3D DRAM路线则需要大规模投资沉积与蚀刻设备。

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