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发表于 2024-9-4 17:10:18 来自手机 |显示全部楼层
IT之家 9 月 4 日消息,据韩国媒体 ZDNET Korea 报道,SAMSUNG电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm (IT之家注:即 12nm 级) LPDDR 内存样品供应延误的担忧。


SAMSUNG电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产,后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。


然而该韩国媒体此前就在今年 6 月 11 日宣称,SAMSUNG电子的 1b nm DRAM 内存产品当时良率不足五成。




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SAMSUNG电子 LPDDR 内存产品线


韩国媒体今日报道指出,SAMSUNG电子 DS 部门本应在 8 月之前就向 MX 部门供应一定规模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 内存样品,用于 Galaxy S25 系列手机开发。但 DS 部门未能按时提供足够数量样品。


知情人士透露,SAMSUNG电子的 1b nm LPDDR 良率不及预期,影响了企业内部的供货时间表,MX 部门已就此提出抗议,并正在重新审视 Galaxy S25 系列手机的 DRAM 供应计划。


根据 DRAM 产业一般规律,要想实现稳定且经济的大规模生产与供应,内存良率至少需要达到 80%。目前看来SAMSUNG电子的 1b nm LPDDR 即使在企业内部供应中也存在不足问题,意味着该产品良率远低于 80% 的目标。

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