消息称SAMSUNG 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

gythy1978

IT之家 10 月 17 日消息，据韩国媒体 ZDNET Korea 当地时间 15 日报道，SAMSUNG电子 HBM3E 产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开始供货是因为受到该内存的基础 14nm 级 DRAM 的拖累。


报道提到SAMSUNG电子的 36GB 容量 HBM3E 12H 内存可能直到 2025 年第 2~3 季度才能启动供应。


SAMSUNG电子的 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM，SAMSUNG天然存在相对工艺劣势。


此外SAMSUNG电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途，因此SAMSUNG无法马上调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。


不仅如此，SAMSUNG电子的 1a DRAM 本身也存在工艺和设计两方面的问题：


SAMSUNG电子在内存领域导入 EUV 技术上采取较激进策略，以期提升竞争力的同时降低制造成本，其 1a DRAM 拥有 5 个 EUV 层，多于 SK 海力士同期产品。但由于 EUV 工艺复杂，稳定性欠佳，SAMSUNG 1a DRAM 产品未能如预期降低成本。


此外SAMSUNG的 1a DRAM 设计本身也存在不足，导致对应 DDR5 服务器内存条获得英特尔产品认证时机晚于竞争对手 SK 海力士。


消息人士透露，SAMSUNG电子内部目前正在讨论是否其 1a DRAM 的部分电路进行重新设计，但并未就这一存在各种风险的选择进行最终决定：因为至少需要 6 个月才能完成新的设计，要到明年第二季度才能进行批量生产，难以向下游厂商及时交付。